На главную   Контакты   Поиск   Карта сайта   Ссылки 
рефераты
 

Жидкостное химическое травление, стр. 2

нанесения полости металла поперек такой ступеньки.

Ширина линии в скомпенсированной маске М, мкм

Рис. 3. Связь компенсации (уменьшение размеров окон в маске),

необходимый при изотропном и анизотропном (D/L>2) травлении.

Для компенсации подтрава при изотропном жидкостном травлении размеры элемента на фотошаблоне следует уменьшать. На рис. 3 показана компенсация размера окон в шаблоне для разных степеней анизотропии травления. Для обычного изотропного травления D/L равно 1 (без разрушения резиста и при хорошей адгезии). Для того чтобы ширина полосы была равна wе, размер перенесенного в резист изображения wr должен быть меньше на удвоенную величину бокового подтрава (L):

wr=wе-2L. (1)

Рис. 4. Сравнение жидкостного (W) и плазменного (Р) травления.В обоих случаях травление производится через маску Si3N4 толщиной 0.25 мкм.

для получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении (D/L=3) изображение в резисте следует делать на 0.2 мкм меньше 1 мкм, а ширина элемента на шаблоне (М) должна быть увеличена примерно на 0.05-0.1 мкм для компенсации ухода размера при формировании резистной маски. Если же D/L=10, то полоса шириной 1 мкм может быть подтравлена через резистное окно шириной 0.7 мкм. разница в характеристиках компенсации размера изображения в резисте для сухого и жидкостного травления Si3N4 ясно видна на рис. 4.

Термодинамика травления.

С точки зрения химии процесс травления можно представить схемой

твердая фаза+травитель®продукты;

при этом к твердой фазе относят кремний, его оксиды и нитриды и многие металлы. Для межсоединений внутри кристалла обычно применяют Al и его сплавы с Si и Cu, причем основным материалом для первого уровня металлизации является Al (табл. 1). Слои оксидов кремния можно выращивать термически, наносить химическим способом или распылением, можно также легировать их фосфором или бором. Металлы используются в виде чистых или пассивированных пленок, сплавов, многослойных структур и интерметаллидов. Поскольку кремний существует в виде монокристаллических или поликристаллических пленок, его структура, как и структура других кристаллических материалов, имеет и ближний и дальний порядок. Поскольку травление переводит упорядоченные структуры в неупорядоченные, термодинамические соображения о поведении свободной энергии DF системы должны учитывать изменения как энтропии +DS, так и энтальпии DН (теплоты растворения или испарения)

DF=DН-ТDS. (2)

Например, реакция травления аморфного оксида кремния является эндотермической, DН=+11 ккал/моль:

SiO2(тв.)+6HF(ж.)®Н2SiF6+2H2O. (3)

Таблица 1. Материалы полупроводниковой электроники.

Проводники

Ag, Al, Au, Cr, Cu, Mo, Ni, Pb, Pt, Ta, Ti,W

Полупроводники

Si, Ge, GaAs

Диэлектрики

SiO2, Si3N4, резист, полиимид

Преодоление короткодействующих сил в амфорном твердом теле сопровождается ростом энтропии. Небольшие дефекты, такие, как напряжение, деформация, примесные уровни, также оказывают влияние на скорость травления. В кристаллическом кремнии скорость травления плоскостей с малыми индексами Миллера определяется числом свободных связей и кристаллографической ориентацией (табл. 2).

Таблица 2. Влияние ориентации на травление кремния.

Кристаллографическая плоскость

Относительное число свободных связей

Относительная скорость травления

(111)

(110)

(100)

0.58

0.71

1.00

0.62

0.89

1.00

Переход металла или кремния в растворимое состояние включает в себя ионизацию металла (определяемую потенциалом ионизации) и перенос электрона к соответствующему восстановителю с высоким сродством к электрону

М(тв.) ®Мn+(ж.)+ne. (4)

Реакция эта трехстадийная:

М(тв.) ®М(газ) сублимация, (5)

М(газ) ® Мn+(газ)+ne ионизация, (6)

Мn+(газ)+Н2О ® Мn+(ж.) гидратация. (7)

Изменение энтальпии при сублимации и ионизации положительно (эндотермические реакции), но гидратация экзотермична (отрицательное DН). При газофазном травлении для распыления металла путем его сублимации кинетическая энергия частиц травителя (энергия травления) должна передаваться металлу из газовой фазы. При погружении металлического образца в раствор, соде

<< назад    вперед >>

© 2006. Все права защищены.